9月7日，瑶芯微电子与中科院院士郝跃团队在上海联合发布碳化硅超级结MOSFET成果，标志着我国在下一代功率器件技术上取得原创性突破。该技术通过五年攻关，实现了1635V超高耐压，比导通电阻低至1.27毫欧·平方厘米，电流密度较国际顶级水平提升50%，高温下性能提升166%，功率密度提升81%。

碳化硅功率器件是新能源汽车、数据中心等战略产业的核心，目前全球市场由海外企业主导，占据80%份额。超级结技术被视为下一代主流方向，但电荷平衡控制极难，长期停留在实验室阶段。瑶芯微与郝跃团队协同晶圆代工厂芯联集成，成功将该技术工程化，逼近材料物理极限，并已在国内率先实现8英寸碳化硅MOSFET量产。

该成果不仅提升器件性能，更将引发系统级变革，助力新能源汽车、AI服务器电源、固态变压器等应用，并显著降低成本。瑶芯微产品已进入多家全球头部客户，实现国产替代，标志着我国具备参与下一代功率器件技术路线竞争的能力。