荷兰光刻机巨头阿斯麦（ASML）与台积电近日宣布启动一项行业合作计划，旨在推动高数值孔径（High NA）极紫外光刻（EUV）光罩从目前的6英寸向12英寸升级。此举旨在提高晶圆厂生产效率、降低芯片制造成本，并消除拼接限制，为下一代先进制程铺平道路。

根据双方规划，将于2031年建立12英寸光罩试产线，并推动12英寸高NA EUV光刻系统于2033年进入先进制程量产。台积电预计自2030年起，在先进制程大规模生产中采用ASML的高NA技术，进一步巩固其在半导体制造领域的领先地位。