据韩国媒体TheBell报道，三星电子目标于2026年9月率先完成1d nm DRAM内存研发，同年12月进入量产转移阶段，2027年上半年启动生产线建设，并有望在2027年底实现首批量产。此举旨在巩固其在半导体存储领域的领先地位。

与此同时，台积电先进封装CoWoS产能供不应求，订单爆满。据台湾经济日报报道，部分后段订单已外溢至英特尔马来西亚厂，以产能合作方式支持共同客户，打破生态系惯例。业界预期，日月光投控、欣兴、家登集团等供应链厂商将同步受益。