英特尔近日公开一项专利申请,披露其正在研发名为XBM(Cross-Batch Memory)的新型高带宽内存架构。该架构旨在通过取消HBM所需的硅中介层、采用UCIe互连及内置冗余修复机制,降低先进封装成本并缓解AI芯片的“内存墙”瓶颈。
专利显示,XBM采用后端晶体管(BEOL)DRAM堆叠设计,可在保持与HBM4相近封装尺寸的同时提升可扩展性,并支持缺陷修复以提高良率。这一创新有望为AI芯片提供更经济高效的内存解决方案。
长按识别二维码