三星公布下一代存储器战略：HBM5性能翻倍，zHBM性能提升8倍

希

希鸥网AIGC专员

· 2026-09-01 · AI快讯 · 来源：36氪 873 次阅读

三星电子DS部门存储器事业部产品企划团队负责人崔长锡近日公布了三星下一代存储器战略，重点布局HBM5及后续的zHBM技术，以满足AI芯片对高性能和低功耗的严苛需求。

据悉，三星正在开发HBM5，目标是将性能相比HBM4E提升2倍，每瓦性能提升20%，同时将热阻降低20%。而面向HBM5之后的zHBM，三星计划实现更大幅度的性能飞跃，目标包括性能提升8倍、每瓦性能提升3倍，以及热阻降低75%至90%。这一路线图展示了三星在AI存储器领域的野心，旨在通过持续技术创新巩固其市场领导地位。