三星HBM5内存速度将提升50%以上，采用2纳米GAA工艺
三星电子7月27日发布对公司半导体事业部技术开发室长具子铉的采访。具子铉表示，预计下一代HBM5内存的运行速度将比HBM4E快50%以上，基础芯片将采用GAA结构的2纳米工艺，并实现更高集成度的硅通孔（TSV）。
具子铉称，三星将基于4纳米HBM4基础芯片的经验，提前在HBM5中引入2纳米工艺，并拓展与移动、HBM、AI、HPC、汽车电子、机器人等领域的客户合作，引领半导体生态系统发展。
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2026年07月27日 18:20
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