三星发布AI存储新技术：zHBM性能达HBM5八倍，400层V10 NAND亮相
当地时间8月4日，三星电子在美国圣克拉拉举行的2026年未来存储与内存大会（FMS）上，公布了面向AI基础设施的下一代存储技术路线，首次展示了zHBM、zNAND-O概念产品，并推出采用晶圆键合技术的400层以上V10 BV-NAND。
三星表示，zHBM旨在通过将HBM垂直堆叠于AI加速器上方，缩短处理器与内存之间的数据传输距离，以提升AI训练和推理性能。搭载下一代接口系统的zHBM预计性能可达到HBM5的约8倍，同时借助新型晶圆键合技术，实现超过HBM5 10倍的内存密度，并提升能效表现。
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2026年08月05日 07:30
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