铭芯启睿完成国际首款1T4R 1Gb RRAM芯片流片

2026年10月12日，铭芯启睿（MemSilicon）宣布完成基于1TnR技术路线的首代高密度、大容量RRAM芯片“泰山一号（MountTai 2026）”流片。该芯片采用28nm CMOS工艺平台和1T4R单元结构，单芯片容量1Gb，密度达到30Mb/mm²，访问延时小于20ns，并集成片上硬件纠错电路，在大容量、高密度与高速读取之间实现协同突破。目前芯片已完成流片，正在推进验证。

“泰山一号”是MemSilicon将1TnR高密度、大容量新型存储芯片技术从早期研究推向Gb级芯片产品化的里程碑。该技术路线通过多个阻变存储单元共享选择晶体管，提高单位面积内的存储容量，并利用与CMOS平台完全兼容的后道集成方式，实现密度、容量和成本兼得。随着阻变单元尺寸缩小，选择晶体管及其连接结构所占面积成为继续提高密度时需要解决的问题，1TnR思路正是降低平均到每个存储单元上的晶体管面积开销。

围绕1TnR结构大容量RRAM芯片的核心技术挑战，“泰山一号”在电路与架构层面首次提出并验证了系列自主创新技术：引入负压设计与统一复位电路方法，显著抑制阵列漏电流，降低芯片功耗并提升可靠性；设计多电压域字线驱动电路，实现高、低压读写路径彻底解耦，并提出自适应保护偏置电压技术，有效降低误写风险；开发片上自适应跟随读取电路，攻克1TnR在Gb级大容量下面临的读可靠性与读良率难题，配合硬件纠错电路，构建“电路自适应＋硬件纠错”的双重读保障机制。

公开报道显示，三星、台积电、格芯等全球主要晶圆代工厂已将RRAM纳入先进工艺节点的技术路线图，其中台积电明确将RRAM纳入12nm和6nm节点支持范围，英飞凌已为28nm节点微控制器选定RRAM方案。今年9月，工业和信息化部、国家发展改革委联合发布的《电子信息制造业发展“十五五”规划》，已将阻变存储器等新型存储产品以及存算一体等计算范式列入发展方向。核心团队源自中国科学院和复旦大学的MemSilicon，正围绕嵌入式存储、大容量存储及混合存算等需求持续增强自主研发产品体系。